casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / FES8GT-5301HE3/45
codice articolo del costruttore | FES8GT-5301HE3/45 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FES8GT-5301HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
FES8GT-5301HE3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 85pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FES8GT-5301HE3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FES8GT-5301HE3/45-FT |
VS-20ETF08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF10-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA06TB120-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TQ035-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TQ040-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TQ045-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ035-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ040-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel