casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-20ETF08-M3
codice articolo del costruttore | VS-20ETF08-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-20ETF08-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-20ETF08-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 95ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20ETF08-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-20ETF08-M3-FT |
SE30PAD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PADHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30PAJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE50PAB-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE50PABHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE50PAD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE50PADHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE50PAG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S200-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL025T-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1
Intel
5SGXEB5R2F43C2L
Intel
XC4044XL-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation