casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDY102PZ
codice articolo del costruttore | FDY102PZ |
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Numero di parte futuro | FT-FDY102PZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDY102PZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 830mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 830mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.1nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 135pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 625mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-89-3 |
Pacchetto / caso | SC-89, SOT-490 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDY102PZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDY102PZ-FT |
NDP4050L
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NDP4060
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Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
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