casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NDP6030PL
codice articolo del costruttore | NDP6030PL |
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Numero di parte futuro | FT-NDP6030PL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NDP6030PL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 19A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1570pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 75W (Tc) |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDP6030PL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NDP6030PL-FT |
FQP6N70
ON Semiconductor
FQP6N80
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FQP6N90
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XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
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LCMXO2-7000HC-4BG332C
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LCMXO2-7000HE-4BG332C
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5CEFA4U19A7N
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EPF10K20RC240-3N
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