codice articolo del costruttore | FDU8770 |
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Numero di parte futuro | FT-FDU8770 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDU8770 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3720pF @ 13V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 115W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDU8770 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDU8770-FT |
HUFA75344S3ST
ON Semiconductor
HUFA75345S3S
ON Semiconductor
HUFA75345S3ST
ON Semiconductor
HUFA75433S3ST
ON Semiconductor
HUFA75545S3S
ON Semiconductor
HUFA75623S3ST
ON Semiconductor
HUFA75637S3S
ON Semiconductor
HUFA75637S3ST
ON Semiconductor
HUFA75639S3S
ON Semiconductor
HUFA75639S3ST-F085A
ON Semiconductor
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel