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ON Semiconductor HUFA75639S3ST-F085A

Name: HUFA75639S3ST-F085A
Brand: ON Semiconductor
SKU: HUFA75639S3ST-F085A
Availability: InStock
Rating: 4.8 (199 reviews)

Numero parte MFG: HUFA75639S3ST-F085A

quantità disponibile: 92100 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: HUFA75639S3ST-F085A.pdf

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HUFA75639S3ST-F085A specificazioni

codice articolo del costruttore	HUFA75639S3ST-F085A
Numero di parte futuro	FT-HUFA75639S3ST-F085A
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
HUFA75639S3ST-F085A Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	56A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 56A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 20V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	200W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HUFA75639S3ST-F085A Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	HUFA75639S3ST-F085A-FT

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