casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / FDSD0412-H-1R5M=P3
codice articolo del costruttore | FDSD0412-H-1R5M=P3 |
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Numero di parte futuro | FT-FDSD0412-H-1R5M=P3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FDSD0412 |
FDSD0412-H-1R5M=P3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Metal |
Induttanza | 1.5µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 3.3A |
Corrente - Saturazione | 4.1A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 64 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | - |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.165" L x 0.165" W (4.20mm x 4.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.047" (1.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDSD0412-H-1R5M=P3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDSD0412-H-1R5M=P3-FT |
LQW2BHN10NJ03L
Murata Electronics North America
LQW2BHN2N7D13L
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LQW2BHN33NJ03L
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LQW2BHN39NJ03L
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LQW2BHN68NG03L
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LQW2BHN8N2D03L
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LQW2BHNR18J03L
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LQW2BHNR22J03L
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LQW2BHN10NJ13L
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LQW2BHN12NJ03L
Murata Electronics North America
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation