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codice articolo del costruttore | LQW2BHN10NJ13L |
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Numero di parte futuro | FT-LQW2BHN10NJ13L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQW2 |
LQW2BHN10NJ13L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 10nH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 1.32A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 30 mOhm Max |
Q @ Freq | 35 @ 250MHz |
Frequenza - Autorisonante | 3.3GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.059" W (2.00mm x 1.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.070" (1.78mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW2BHN10NJ13L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LQW2BHN10NJ13L-FT |
ELJ-LA4R7KF
Panasonic Electronic Components
ELJ-LA680KF
Panasonic Electronic Components
ELJ-LA6R8KF
Panasonic Electronic Components
S34603
Newava Technology Inc.
S34601
Newava Technology Inc.
S34591
Newava Technology Inc.
S34568
Newava Technology Inc.
S34567
Newava Technology Inc.
S34547
Newava Technology Inc.
S34050
Newava Technology Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel