casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FDS9958
codice articolo del costruttore | FDS9958 |
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Numero di parte futuro | FT-FDS9958 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDS9958 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.9A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 2.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1020pF @ 30V |
Potenza - Max | 900mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDS9958 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDS9958-FT |
FDC6401N
ON Semiconductor
FDC6321C
ON Semiconductor
FDC3601N
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FDC6322C
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FDC6432SH
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NDC7002N_SB9G007
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USB10H
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FDJ1028N
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FDJ1032C
ON Semiconductor
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS1500-1FG484K
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C8N
Intel
XC4VLX25-11FFG676C
Xilinx Inc.
A42MX09-1PL84I
Microsemi Corporation
5AGXBB1D4F35I5N
Intel
EP20K400CB652C8
Intel
EP4SGX290FF35C3N
Intel