casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDS6690A
codice articolo del costruttore | FDS6690A |
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Numero di parte futuro | FT-FDS6690A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDS6690A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1205pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDS6690A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDS6690A-FT |
FDAF69N25
ON Semiconductor
FDAF75N28
ON Semiconductor
FQAF10N80
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FQAF11N40
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A54SX32-1TQ144M
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LFXP3E-3T100I
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A3P400-2FGG256I
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5SGXEB6R3F40I3L
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