casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQAF10N80
codice articolo del costruttore | FQAF10N80 |
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Numero di parte futuro | FT-FQAF10N80 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQAF10N80 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05 Ohm @ 3.35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 113W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PF |
Pacchetto / caso | TO-3P-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQAF10N80 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQAF10N80-FT |
FQU10N20TU
ON Semiconductor
FQU10N20TU_AM002
ON Semiconductor
FQU12N20TU
ON Semiconductor
FQU13N06TU
ON Semiconductor
FQU13N10TU
ON Semiconductor
FQU1N50TU
ON Semiconductor
FQU1N60TU
ON Semiconductor
FQU1N80TU
ON Semiconductor
FQU20N06TU
ON Semiconductor
FQU2N50BTU
ON Semiconductor
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel