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ON Semiconductor FDS4435BZ-F085

Name: FDS4435BZ-F085
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDS4435BZ-F085
Availability: InStock
Rating: 4.7 (497 reviews)

Numero parte MFG: FDS4435BZ-F085

quantità disponibile: 90230 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FDS4435BZ-F085.pdf

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FDS4435BZ-F085 specificazioni

codice articolo del costruttore	FDS4435BZ-F085
Numero di parte futuro	FT-FDS4435BZ-F085
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FDS4435BZ-F085 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Vgs (massimo)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1845pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOIC
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDS4435BZ-F085 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FDS4435BZ-F085-FT

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