codice articolo del costruttore | FDS8876 |
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Numero di parte futuro | FT-FDS8876 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDS8876 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 12.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1650pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDS8876 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDS8876-FT |
IRFU120ATU
ON Semiconductor
IRFU120_R4941
ON Semiconductor
IRFU214BTU_FP001
ON Semiconductor
IRFU220BTU-AM002
ON Semiconductor
IRFU220BTU_F080
ON Semiconductor
IRFU220BTU_FP001
ON Semiconductor
IRFU220_R4941
ON Semiconductor
IRLU110ATU
ON Semiconductor
RFD12N06RLE
ON Semiconductor
RFD14N05
ON Semiconductor
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel