casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDN304PZ
codice articolo del costruttore | FDN304PZ |
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Numero di parte futuro | FT-FDN304PZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDN304PZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.4A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1310pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SuperSOT-3 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDN304PZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDN304PZ-FT |
SI1413DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1413DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1413EDH-T1-E3
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SI1413EDH-T1-GE3
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SI1414DH-T1-GE3
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SI1417EDH-T1-E3
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SI1417EDH-T1-GE3
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SI1419DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1422DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1424EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel