casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDMS86550ET60
codice articolo del costruttore | FDMS86550ET60 |
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Numero di parte futuro | FT-FDMS86550ET60 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMS86550ET60 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Ta), 245A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.65 mOhm @ 32A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 154nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8235pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.3W (Ta), 187W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | Power56 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMS86550ET60 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDMS86550ET60-FT |
HUF75639S3
ON Semiconductor
FQI5N60CTU
ON Semiconductor
FQI7N60TU
ON Semiconductor
FQI7N80TU
ON Semiconductor
FQI13N50CTU
ON Semiconductor
FDI150N10
ON Semiconductor
FCI25N60N-F102
ON Semiconductor
FDI9409-F085
ON Semiconductor
FQI10N20CTU
ON Semiconductor
FQI10N60CTU
ON Semiconductor
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel