casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDMS86320
codice articolo del costruttore | FDMS86320 |
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Numero di parte futuro | FT-FDMS86320 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMS86320 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.5A (Ta), 22A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7 mOhm @ 10.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2640pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PQFN (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMS86320 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDMS86320-FT |
FDMA530PZ
ON Semiconductor
FDMA410NZ
ON Semiconductor
FDMA520PZ
ON Semiconductor
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XC7A100T-2FTG256I
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10AX032E4F27I3SG
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XC6VHX380T-2FFG1154C
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XC7K325T-L2FBG900I
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