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ON Semiconductor FDMS4D0N12C

Name: FDMS4D0N12C
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDMS4D0N12C
Price: 2.523736 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (334 reviews)

Numero parte MFG: FDMS4D0N12C

quantità disponibile: 76400 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 2.523736

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: PowerTrench® PTNG 120V N-FET PQFN56

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FDMS4D0N12C.pdf

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FDMS4D0N12C specificazioni

codice articolo del costruttore	FDMS4D0N12C
Numero di parte futuro	FT-FDMS4D0N12C
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®
FDMS4D0N12C Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	120V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	18.5A (Ta), 114A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 67A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 370A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	82nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6460pF @ 60V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.7W (Ta), 106W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-PQFN (5x6)
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDMS4D0N12C Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FDMS4D0N12C-FT

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