casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDMS1D5N03
codice articolo del costruttore | FDMS1D5N03 |
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Numero di parte futuro | FT-FDMS1D5N03 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMS1D5N03 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 218A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.15 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9690pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PQFN (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMS1D5N03 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDMS1D5N03-FT |
FDMC86340ET80
ON Semiconductor
FDMC8010ET30
ON Semiconductor
FDMC8651
ON Semiconductor
FDMC010N08C
ON Semiconductor
FDMC012N03
ON Semiconductor
FDMC6686P
ON Semiconductor
FDMC86259P
ON Semiconductor
FDMC86012
ON Semiconductor
FDMC86160
ON Semiconductor
FDMC86160ET100
ON Semiconductor
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel