casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDMC010N08C
codice articolo del costruttore | FDMC010N08C |
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Numero di parte futuro | FT-FDMC010N08C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMC010N08C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 51A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.4W (Ta), 52W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | Power33 |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMC010N08C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDMC010N08C-FT |
RFP3055
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RFP3055LE
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XC2V4000-5FF1517I
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M2GL025TS-VFG256
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EP4CGX30CF23I7
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5SGSED8N3F45I3LN
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5SGXEB5R1F43I2N
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AGL1000V5-FGG144I
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LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
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