casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDMS0306AS
codice articolo del costruttore | FDMS0306AS |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FDMS0306AS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench®, SyncFET™ |
FDMS0306AS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Ta), 49A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 26A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3550pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 59W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PQFN (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMS0306AS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDMS0306AS-FT |
NDC652P
ON Semiconductor
SI3442DV
ON Semiconductor
FDY101PZ
ON Semiconductor
FDY301NZ
ON Semiconductor
FDY102PZ
ON Semiconductor
FDY302NZ
ON Semiconductor
FDY100PZ
ON Semiconductor
2N7002T
ON Semiconductor
FDY300NZ
ON Semiconductor
FDMS8350L
ON Semiconductor
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel