casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FDMD8430
codice articolo del costruttore | FDMD8430 |
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Numero di parte futuro | FT-FDMD8430 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMD8430 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 28A (Ta), 95A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.12 mOhm @ 28A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5035pF @ 15V |
Potenza - Max | 2.1W (Ta), 29W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PQFN (3.3x5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMD8430 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDMD8430-FT |
APTMC170AM60CT1AG
Microsemi Corporation
APTMC60TLM14CAG
Microsemi Corporation
APTML602U12R020T3AG
Microsemi Corporation
DMC2053UVT-13
Diodes Incorporated
DMC2057UVT-13
Diodes Incorporated
DMC3071LVT-13
Diodes Incorporated
DMC3730UVT-13
Diodes Incorporated
DMN2053UVT-13
Diodes Incorporated
DMN3012LDG-13
Diodes Incorporated
DMN3012LDG-7
Diodes Incorporated
LFEC1E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K70T-2FBG676C
Xilinx Inc.
A3PE600-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05AL-1AQC
Microchip Technology
5SGSMD5H3F35I4
Intel
XC6SLX16-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144
Microsemi Corporation
5CGTFD7C5U19C7N
Intel
EP2AGX260EF29C5
Intel