casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDMC86260ET150
codice articolo del costruttore | FDMC86260ET150 |
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Numero di parte futuro | FT-FDMC86260ET150 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMC86260ET150 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.4A (Ta), 25A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 5.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1330pF @ 75V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 65W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | Power33 |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMC86260ET150 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDMC86260ET150-FT |
TLC530FTU
ON Semiconductor
TLC530TU
ON Semiconductor
FCP130N60
ON Semiconductor
FDC642P-F085
ON Semiconductor
FDC5661N-F085
ON Semiconductor
FDC642P
ON Semiconductor
FDC640P
ON Semiconductor
FDC655BN
ON Semiconductor
SI3457DV
ON Semiconductor
FDC658P
ON Semiconductor
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel