casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDMC7672S-F126
codice articolo del costruttore | FDMC7672S-F126 |
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Numero di parte futuro | FT-FDMC7672S-F126 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench®, SyncFET™ |
FDMC7672S-F126 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14.8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 14.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2520pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.3W (Ta), 36W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-MLP (3.3x3.3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMC7672S-F126 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDMC7672S-F126-FT |
FQI13N06LTU
ON Semiconductor
FQI13N06TU
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FQI15P12TU
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FQI16N25CTU
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FQI17N08LTU
ON Semiconductor
FQI17N08TU
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FQI17P06TU
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FQI19N20CTU
ON Semiconductor
FQI19N20TU
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FQI1P50TU
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