casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BXL4004-1E
codice articolo del costruttore | BXL4004-1E |
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Numero di parte futuro | FT-BXL4004-1E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BXL4004-1E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8200pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 75W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BXL4004-1E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BXL4004-1E-FT |
AUIRF1405ZS-7P
Infineon Technologies
AUIRF1405ZS-7TRL
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AUIRF3004WL
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AUIRF7732S2TR
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AUIRF7736M2TR
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XC3S50A-4TQ144I
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M1A3P400-FGG256
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M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
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5SGXEBBR1H43C2LN
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5CGXFC9C6F23I7N
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