casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDI030N06
codice articolo del costruttore | FDI030N06 |
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Numero di parte futuro | FT-FDI030N06 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDI030N06 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 151nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9815pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 231W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK (TO-262) |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDI030N06 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDI030N06-FT |
FQI32N12V2TU
ON Semiconductor
FQI32N20CTU
ON Semiconductor
FQI34P10TU
ON Semiconductor
FQI3N25TU
ON Semiconductor
FQI3N30TU
ON Semiconductor
FQI3N40TU
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FQI3N80TU
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FQI3N90TU
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FQI3P20TU
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FQI3P50TU
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XCS20XL-4VQ100C
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XC6SLX150-3FG484I
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A42MX36-1PQG240
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A3P1000-2FGG484I
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XC4020E-4HQ208I
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XC7VX690T-1FFG1930C
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A42MX09-TQ176
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M1A3P1000L-FGG144
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ICE40UL1K-CM36AITR1K
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EP4SGX230HF35C2
Intel