casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDFS2P103
codice articolo del costruttore | FDFS2P103 |
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Numero di parte futuro | FT-FDFS2P103 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDFS2P103 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59 mOhm @ 5.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 528pF @ 15V |
Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipazione di potenza (max) | 900mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDFS2P103 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDFS2P103-FT |
FDT3612
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10M40DCF256C7G
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Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
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EP1SGX40GF1020I6
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