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ON Semiconductor FQT3P20TF-SB82100

Name: FQT3P20TF-SB82100
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQT3P20TF-SB82100
Availability: InStock
Rating: 4.8 (669 reviews)

Numero parte MFG: FQT3P20TF-SB82100

quantità disponibile: 22180 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: QFET® MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FQT3P20TF-SB82100.pdf

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FQT3P20TF-SB82100 specificazioni

codice articolo del costruttore	FQT3P20TF-SB82100
Numero di parte futuro	FT-FQT3P20TF-SB82100
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	QFET®
FQT3P20TF-SB82100 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	670mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.7 Ohm @ 335mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-223-4
Pacchetto / caso	TO-261-4, TO-261AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQT3P20TF-SB82100 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FQT3P20TF-SB82100-FT

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