casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDD9407L-F085
codice articolo del costruttore | FDD9407L-F085 |
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Numero di parte futuro | FT-FDD9407L-F085 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
FDD9407L-F085 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 80A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6700pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 227W (Tj) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD9407L-F085 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDD9407L-F085-FT |
FQD30N06TM
ON Semiconductor
FQD7P06TM
ON Semiconductor
RFD3055LESM9A
ON Semiconductor
IRFR15N20DTRPBF
Infineon Technologies
IRFR220NTRPBF
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IRFR3411TRPBF
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IRFR3504ZTRPBF
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IRFR3707ZTRPBF
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IRFR3709ZTRPBF
Infineon Technologies
IRFR3910TRPBF
Infineon Technologies
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel