casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDD9407L-F085
codice articolo del costruttore | FDD9407L-F085 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FDD9407L-F085 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
FDD9407L-F085 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 80A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6700pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 227W (Tj) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD9407L-F085 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDD9407L-F085-FT |
FQD30N06TM
ON Semiconductor
FQD7P06TM
ON Semiconductor
RFD3055LESM9A
ON Semiconductor
IRFR15N20DTRPBF
Infineon Technologies
IRFR220NTRPBF
Infineon Technologies
IRFR3411TRPBF
Infineon Technologies
IRFR3504ZTRPBF
Infineon Technologies
IRFR3707ZTRPBF
Infineon Technologies
IRFR3709ZTRPBF
Infineon Technologies
IRFR3910TRPBF
Infineon Technologies
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation