casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDD86369-F085
codice articolo del costruttore | FDD86369-F085 |
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Numero di parte futuro | FT-FDD86369-F085 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
FDD86369-F085 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2530pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tj) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD86369-F085 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDD86369-F085-FT |
IRFR6215TRLPBF
Infineon Technologies
IRLR2905TRLPBF
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FDD306P
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XC4005XL-2PQ100I
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XC4VFX40-10FF672C
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XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
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LCMXO2-4000HE-4BG256I
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