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ON Semiconductor FCD9N60NTM

Name: FCD9N60NTM
Brand: ON Semiconductor
SKU: FCD9N60NTM
Price: 1.182568 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (456 reviews)

Numero parte MFG: FCD9N60NTM

quantità disponibile: 81990 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.182568

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: SupreMOS™ MOSFET N-CH 600V 9A DPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FCD9N60NTM.pdf

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FCD9N60NTM specificazioni

codice articolo del costruttore	FCD9N60NTM
Numero di parte futuro	FT-FCD9N60NTM
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	SupreMOS™
FCD9N60NTM Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	385 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.8nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	92.6W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D-Pak
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCD9N60NTM Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FCD9N60NTM-FT

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