casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDD7N25LZTM
codice articolo del costruttore | FDD7N25LZTM |
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Numero di parte futuro | FT-FDD7N25LZTM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UniFET™ |
FDD7N25LZTM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 3.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 635pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 56W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD7N25LZTM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDD7N25LZTM-FT |
FDD8870
ON Semiconductor
IRFR5410TRPBF
Infineon Technologies
IRLR3410TRPBF
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IRLR7833
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FQD3N60CTM-WS
ON Semiconductor
IXTY01N100
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A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400-4FG320I
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XC3S700AN-4FGG484I
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5SGXMA3E1H29I2N
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5SGSMD8N3F45I3N
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5SGXMA4H3F35I4N
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XC5VLX155-2FFG1760C
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XC6VLX195T-2FFG784C
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XC6VLX195T-2FFG784I
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LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation