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ON Semiconductor FDD2670

Numero parte MFG
FDD2670
quantità disponibile
52810 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.795128
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Data di spedizione
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
PowerTrench® MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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FDD2670 specificazioni

codice articolo del costruttore FDD2670
Numero di parte futuro FT-FDD2670
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie PowerTrench®
FDD2670 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1228pF @ 100V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.2W (Ta), 70W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-252
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD2670 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FDD2670-FT

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