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ON Semiconductor FDC655BN_NBNN007

Name: FDC655BN_NBNN007
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDC655BN_NBNN007
Availability: InStock
Rating: 4.9 (418 reviews)

Numero parte MFG: FDC655BN_NBNN007

quantità disponibile: 96750 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: PowerTrench® MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FDC655BN_NBNN007.pdf

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FDC655BN_NBNN007 specificazioni

codice articolo del costruttore	FDC655BN_NBNN007
Numero di parte futuro	FT-FDC655BN_NBNN007
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®
FDC655BN_NBNN007 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6.3A
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	620pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	800mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SuperSOT™-6
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDC655BN_NBNN007 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FDC655BN_NBNN007-FT

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