casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSZ0994NSATMA1
codice articolo del costruttore | BSZ0994NSATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSZ0994NSATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSZ0994NSATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8-25 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ0994NSATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSZ0994NSATMA1-FT |
APTM120DA56T1G
Microsemi Corporation
APTM120DA68T1G
Microsemi Corporation
APTM120SK15G
Microsemi Corporation
APTM120SK29TG
Microsemi Corporation
APTM120SK56T1G
Microsemi Corporation
APTM120SK68T1G
Microsemi Corporation
APTM120U10DAG
Microsemi Corporation
APTM120UM95FAG
Microsemi Corporation
APTM20DAM10TG
Microsemi Corporation
APTM20SKM05G
Microsemi Corporation
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel