casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDC3616N
codice articolo del costruttore | FDC3616N |
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Numero di parte futuro | FT-FDC3616N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDC3616N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.7A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 3.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1215pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SuperSOT™-6 FLMP |
Pacchetto / caso | 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDC3616N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDC3616N-FT |
BSZ023N04LSATMA1
Infineon Technologies
BSZ0703LSATMA1
Infineon Technologies
BSZ0945NDXTMA1
Infineon Technologies
BSZ0994NSATMA1
Infineon Technologies
BTS244ZE3043AKSA2
Infineon Technologies
BUK3F00-50WFEA,518
Nexperia USA Inc.
BUK3F00-50WGFA,518
Nexperia USA Inc.
BUK761R5-40EJ
NXP USA Inc.
BUK7J1R0-40HX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y1R4-40HX
Nexperia USA Inc.
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel