casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDBL0150N80
codice articolo del costruttore | FDBL0150N80 |
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Numero di parte futuro | FT-FDBL0150N80 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDBL0150N80 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 300A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 188nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 429W (Tj) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HPSOF |
Pacchetto / caso | 8-PowerSFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDBL0150N80 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDBL0150N80-FT |
FQE10N20LCTU
ON Semiconductor
FDMC8010DC
ON Semiconductor
FDMS8050ET30
ON Semiconductor
FDMS86202ET120
ON Semiconductor
FDMS86202
ON Semiconductor
FDMS86150
ON Semiconductor
FDMS86350
ON Semiconductor
FDMS86550
ON Semiconductor
FDMS8050
ON Semiconductor
FDMS86150ET100
ON Semiconductor
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel