casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FCB260N65S3
codice articolo del costruttore | FCB260N65S3 |
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Numero di parte futuro | FT-FCB260N65S3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperFET® III |
FCB260N65S3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.2mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1010pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 90W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCB260N65S3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FCB260N65S3-FT |
FQA13N50C-F109
ON Semiconductor
FQA16N50-F109
ON Semiconductor
FQA22P10
ON Semiconductor
FQA24N50F_F109
ON Semiconductor
FQA36P15_F109
ON Semiconductor
IRFP150A
ON Semiconductor
SSH70N10A
ON Semiconductor
FDB024N08BL7
ON Semiconductor
FDB0250N807L
ON Semiconductor
FDB0300N1007L
ON Semiconductor
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel