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ON Semiconductor FCB110N65F

Numero parte MFG
FCB110N65F
quantità disponibile
83200 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 2.229352
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Data di spedizione
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
FRFET®, SuperFET® II MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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FCB110N65F specificazioni

codice articolo del costruttore FCB110N65F
Numero di parte futuro FT-FCB110N65F
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie FRFET®, SuperFET® II
FCB110N65F Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 3.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 145nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4895pF @ 100V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 357W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCB110N65F Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FCB110N65F-FT

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