casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDB52N20TM
codice articolo del costruttore | FDB52N20TM |
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Numero di parte futuro | FT-FDB52N20TM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UniFET™ |
FDB52N20TM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 52A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49 mOhm @ 26A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 357W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDB52N20TM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDB52N20TM-FT |
FDMA86151L
ON Semiconductor
FDMA908PZ
ON Semiconductor
FDMA8051L
ON Semiconductor
FDMA0104
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FDMA7628
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FDFMA2P853
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FDMA8884
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FDMA7632
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FDFMA2P029Z
ON Semiconductor
FDFMA3N109
ON Semiconductor
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel