casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDFMA2P853
codice articolo del costruttore | FDFMA2P853 |
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Numero di parte futuro | FT-FDFMA2P853 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDFMA2P853 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 435pF @ 10V |
Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipazione di potenza (max) | 1.4W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-MicroFET (2x2) |
Pacchetto / caso | 6-VDFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDFMA2P853 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDFMA2P853-FT |
FDMC7660S
ON Semiconductor
FDMS10C4D2N
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EP4SE530H35C4N
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XC4VLX40-11FFG1148I
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A3P1000-FGG144T
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LCMXO640E-3MN100C
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