casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDB2532-F085
codice articolo del costruttore | FDB2532-F085 |
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Numero di parte futuro | FT-FDB2532-F085 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
FDB2532-F085 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 79A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 33A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 107nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5870pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 310W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDB2532-F085 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDB2532-F085-FT |
FDFMA2P029Z
ON Semiconductor
FDFMA3N109
ON Semiconductor
FDFMA2N028Z
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FDMA86551L
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FDMA410NZT
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FDFMA2P853T
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FDFME3N311ZT
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FDFMJ2P023Z
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M2GL025-1FG484I
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APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
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XC2V4000-4FFG1152I
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LFE2M20E-6FN256I
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LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
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LCMXO2-4000HC-6MG132C
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EP3SE110F780C4L
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