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ON Semiconductor FDFMA2N028Z

Name: FDFMA2N028Z
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDFMA2N028Z
Price: 0.236824 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (455 reviews)

Numero parte MFG: FDFMA2N028Z

quantità disponibile: 62770 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.236824

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: PowerTrench® MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FDFMA2N028Z.pdf

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FDFMA2N028Z specificazioni

codice articolo del costruttore	FDFMA2N028Z
Numero di parte futuro	FT-FDFMA2N028Z
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®
FDFMA2N028Z Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	68 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	455pF @ 10V
Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)	1.4W (Tj)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-MicroFET (2x2)
Pacchetto / caso	6-VDFN Exposed Pad
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDFMA2N028Z Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FDFMA2N028Z-FT

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