casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDB12N50FTM-WS
codice articolo del costruttore | FDB12N50FTM-WS |
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Numero di parte futuro | FT-FDB12N50FTM-WS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UniFET™ |
FDB12N50FTM-WS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1395pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 165W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDB12N50FTM-WS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDB12N50FTM-WS-FT |
AON4705L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
FDMA86251
ON Semiconductor
FDMA86151L
ON Semiconductor
FDMA908PZ
ON Semiconductor
FDMA8051L
ON Semiconductor
FDMA0104
ON Semiconductor
FDMA7628
ON Semiconductor
FDFMA2P853
ON Semiconductor
FDMA8884
ON Semiconductor
FDMA7632
ON Semiconductor
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel