casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDB120N10
codice articolo del costruttore | FDB120N10 |
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Numero di parte futuro | FT-FDB120N10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDB120N10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 74A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 74A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5605pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 170W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDB120N10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDB120N10-FT |
FDMA008P20LZ
ON Semiconductor
FCU600N65S3R0
ON Semiconductor
FCU360N65S3R0
ON Semiconductor
FDZ3N513ZT
ON Semiconductor
FCMT180N65S3
ON Semiconductor
FCMT199N60
ON Semiconductor
FCMT250N65S3
ON Semiconductor
FCMT299N60
ON Semiconductor
FDA18N50
ON Semiconductor
FDA38N30
ON Semiconductor
LCMXO256C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel