casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FD800R17KF6CB2NOSA1
codice articolo del costruttore | FD800R17KF6CB2NOSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FD800R17KF6CB2NOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
FD800R17KF6CB2NOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Potenza - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | - |
Ingresso | - |
Termistore NTC | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FD800R17KF6CB2NOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FD800R17KF6CB2NOSA1-FT |
CP15TD1-24A
Powerex Inc.
CP20TD1-12A
Powerex Inc.
CP25TD1-24A
Powerex Inc.
CP30TD1-12A
Powerex Inc.
DD1200S12H4HOSA1
Infineon Technologies
DD800S45KL3B5NPSA1
Infineon Technologies
DDB2U30N08VRBOMA1
Infineon Technologies
DDB2U50N08W1RB23BOMA2
Infineon Technologies
DDB6U100N16RRBOSA1
Infineon Technologies
DDB6U180N16RR
Infineon Technologies
A3PN030-Z2QNG68
Microsemi Corporation
XCS10-3TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
EPF6016ATC100-1
Intel
10CL006YU256I7G
Intel
EP3SE110F1152I4N
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation