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Infineon Technologies DD1200S12H4HOSA1

Name: DD1200S12H4HOSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: DD1200S12H4HOSA1
Price: 519.552 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (598 reviews)

Numero parte MFG: DD1200S12H4HOSA1

quantità disponibile: 25690 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 519.552

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: - MOD DIODE 1200A IHMB130-2

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - IGBT - Moduli

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DD1200S12H4HOSA1.pdf

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DD1200S12H4HOSA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	DD1200S12H4HOSA1
Numero di parte futuro	FT-DD1200S12H4HOSA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DD1200S12H4HOSA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo IGBT	-
Configurazione	2 Independent
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	1200A
Potenza - Max	1200000W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.35V @ 15V, 1200A
Corrente - Limite del collettore (max)	-
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	-
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	Module
Pacchetto dispositivo fornitore	Module
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DD1200S12H4HOSA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DD1200S12H4HOSA1-FT

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