casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FCPF400N60
codice articolo del costruttore | FCPF400N60 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FCPF400N60 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperFET® II |
FCPF400N60 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1580pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 31W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCPF400N60 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FCPF400N60-FT |
GP1M010A080H
Global Power Technologies Group
GP1M011A050H
Global Power Technologies Group
GP1M011A050HS
Global Power Technologies Group
GP1M012A060H
Global Power Technologies Group
GP1M013A050H
Global Power Technologies Group
GP1M015A050H
Global Power Technologies Group
GP1M016A025HG
Global Power Technologies Group
GP1M016A060H
Global Power Technologies Group
GP1M018A020HG
Global Power Technologies Group
GP2M002A060HG
Global Power Technologies Group
ICE40UL640-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA9N2F45I2N
Intel
ICE40LP640-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C3N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel