casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / GP2M002A060HG
codice articolo del costruttore | GP2M002A060HG |
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Numero di parte futuro | FT-GP2M002A060HG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GP2M002A060HG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 52.1W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2M002A060HG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP2M002A060HG-FT |
GP1M003A080PH
Global Power Technologies Group
GP1M003A090PH
Global Power Technologies Group
GP1M005A040PG
Global Power Technologies Group
GP1M005A050PH
Global Power Technologies Group
GP1M006A065PH
Global Power Technologies Group
GP1M008A025PG
Global Power Technologies Group
GP1M008A050PG
Global Power Technologies Group
GP1M009A020PG
Global Power Technologies Group
GP1M016A025PG
Global Power Technologies Group
GP1M018A020PG
Global Power Technologies Group
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.