casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FCPF380N60
codice articolo del costruttore | FCPF380N60 |
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Numero di parte futuro | FT-FCPF380N60 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperFET® II |
FCPF380N60 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1665pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 31W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCPF380N60 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FCPF380N60-FT |
GP1M008A050HG
Global Power Technologies Group
GP1M008A080H
Global Power Technologies Group
GP1M009A020HG
Global Power Technologies Group
GP1M009A050HS
Global Power Technologies Group
GP1M009A060H
Global Power Technologies Group
GP1M009A090H
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GP1M010A060H
Global Power Technologies Group
GP1M010A080H
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GP1M011A050H
Global Power Technologies Group
GP1M011A050HS
Global Power Technologies Group
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
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5SGXEA7N3F45C2LN
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LFXP2-30E-6FT256I
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EP4SGX360HF35I4
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