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ON Semiconductor FCPF165N65S3L1

Numero parte MFG
FCPF165N65S3L1
quantità disponibile
50770 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 2.216
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
SuperFET® III MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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FCPF165N65S3L1 specificazioni

codice articolo del costruttore FCPF165N65S3L1
Numero di parte futuro FT-FCPF165N65S3L1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie SuperFET® III
FCPF165N65S3L1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.9mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1415pF @ 400V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220F-3
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCPF165N65S3L1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FCPF165N65S3L1-FT

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